Η Samsung έχει αποφασίσει να αλλάξει το πρότυπο της μνήμης RAM στα smartphone, με τη νέα 8Gb LPDDR5 DRAM. Η εταιρεία κατασκευής smartphone ολοκλήρωσε πρόσφατα τη δοκιμή του πρώτου πρωτότυπου του τσιπ, το οποίο θα τροφοδοτεί 5G AI-powered τηλέφωνα στο μέλλον.
Σε μια επίσημη ανακοίνωση στο blog της, η Samsung παρουσίασε το τσιπ, χαρακτηρίζοντάς το ως “την πρώτη 8Gb LPDDR5 DRAM για AI-Powered Mobile Applications”.
Σε σύγκριση με τις σύγχρονες μάρκες LPDDR4X, το νέο τσιπ LPDDR5 προσφέρει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων 1,5 φορά μεγαλύτερες. Με τον εντυπωσιακό ρυθμό δεδομένων 6.400 Mb / s, το τσιπ μπορεί να κατεβάσει 51.2 GB δεδομένων ανά δευτερόλεπτο. Αυτό ισοδυναμεί με περίπου 14 βίντεο FHD το δευτερόλεπτο.
Η Samsung θα ξεκινήσει το τσιπ των 10 nm σε δύο παραλλαγές εύρους ζώνης. Το ένα με 6.400Mb / s θα λειτουργεί στα 1.1V, ενώ η άλλη έκδοση (5.500Mb / s) στα 1.05V. Για την κατασκευή αυτών των τσιπ, η Samsung έχει τροποποιήσει τα αρχιτεκτονικά σχέδια που χρησιμοποιεί. Τα Memory banks έχουν διπλασιαστεί από 8 σε 16 για υψηλότερες ταχύτητες.
Ένα άλλο χαρακτηριστικό που αναδεικνύει το τσιπ LPDDRR5 είναι η λειτουργία «deep sleep mode», η οποία είναι σχεδιασμένη να μειώνει την κατανάλωση ενέργειας κατά 30%, γεγονός που θα οδηγήσει σε αύξηση της διάρκειας ζωής των μπαταριών στα smartphones.
Ο ανώτερος αντιπρόεδρος του Memory Product Planning & Application Engineering της Samsung, Jinman Han, δήλωσε: “Αυτή η εξέλιξη του LPDDR5 8Gb αποτελεί ένα σημαντικό βήμα προς τα εμπρός όσον αφορά το mobile memory χαμηλής ισχύος. Θα συνεχίσουμε να επεκτείνουμε τη σειρά DRAM 10nm, καθώς συνεχίζουμε την πορεία μας προς τη μεγαλύτερη χρήση της premium μνήμης.”
Τώρα που ολοκληρώθηκε η φάση δοκιμών, η Samsung θα ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή τσιπ στο Pyeongtaek της Κορέας, σύμφωνα και με τη ζήτηση από παγκόσμιους πελάτες.
