Η Samsung ανακοίνωσε την παραγωγή του πρώτου Z-SSD προϊόν τους, τον SZ985. Ο Z-SSD χρησιμοποιεί τη μνήμη Z-NAND της Samsung, και επιδιώκει να συναγωνιστή την Intel 3D Xpoint memory. Ο SZ985 είναι ένας υψηλών επιδόσεων και υψηλής αντοχής NVMe SSD.
Η Samsung έχει μιλήσει στο παρελθόν για το Z-NAND και το SZ985 και έχει παρουσιάσει τα πρωτότυπα τους σε πολλές εμπορικές εκθέσεις και συνέδρια. Η αρχική ανακοίνωσή τους το 2016 αφορούσε την μνήμη Z-NAND και των μονάδων Z-SSD και υποσχέθηκε δίσκους 1TB που θα ακολουθηθούν από χωρητικότητες των 2TB και 4TB το 2017. Η κυκλοφορία των μοντέλων 800GB και 240GB είναι πολύ πίσω από την αρχική χρονική περίοδο που είχε δοθεί, αλλά ο Z-SSD είναι τελικά έτοιμος σχεδόν ένα χρόνο μετά τα προϊόντα Optane της Intel. Η Samsung δεν έχει δώσει πολλές νέες πληροφορίες σχετικά με το πώς λειτουργεί ο νέος αυτός δίσκος αλλά έχουν αποκαλύψει ότι θα περιλαμβάνει 1.5GB LPDDR4 DRAM.
Όσων αφορά τις πλήρης προδιαγραφές του, η Samsung πάλι δεν έδωσε πολλές πληροφορίες επεσήμανε όμως κάποιες βασικές μετρήσεις που έβαλαν το Z-SSD στην κορυφαία βαθμίδα απόδοσης. O SZ985 μπορεί να φτάσει μέχρι τα 750k random IOPS όσον αφορά την ανάγνωση και τα 170k random IOPS όσον αφορά την εγγραφή. Σε μια ακόμη σύγκριση ενάντια σε SSD με βάση την 3D TLC NAND flash memory η απόδοση ανάγνωσης μνήμης του Z-NAND είναι δεκαπλάσια από την 3D TLC NAND. Η Samsung δεν μπόρεσε να ξεπεράσει όλους τους περιορισμούς της μνήμης flash, αλλά έχει επιφέρει μερικές εντυπωσιακές βελτιώσεις.
Η παρουσίαση του Z-SSD SZ985 θα γίνει στο International Solid-State Circuits Conference, στις 11-15 Φεβρουαρίου.
